2018/04/28

引领3D NAND潮流，戴尔全闪存再次突破业界每GB成本

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引言

近日闪存领域的最大新闻，应该是戴尔在其SC（Compellent）系列存储阵列中率先增加TLC 3D NAND SSD的支持，现在开始提供业界单位容量成本（$/GB）最低的全闪存阵列。

戴尔也正式对外宣布，这将是：

①行业最低的$/GB，包括闪存裸容量和可用容量；

②以15K硬盘价格提供SSD；

③企业级全闪存阵列价格低至$1.66/GB（裸容量）

“硬指标才是硬道理”

最实在的每GB成本计算

全闪存阵列最大的优势就是快，满足用户性能快的同时其最大的门槛就是物理容量，目前在解决性能与容量的矛盾问题方面，业界友商采用了压缩和重删之后来计算每GB成本。但是按照戴尔的硬指标来看，全闪存阵列应该比较物理容量才能更贴近用户需求，而不是用不可控的压缩或者重删来美化结果。另一方面，戴尔也在满足用户全闪存阵列大容量需求的同时，Dell SC和EQ系列都支持并且免费提供压缩和重删功能，对于这点，戴尔在业界绝对领先。

TLC 3D NAND读性能

让小伙伴惊呆了！

目前，在戴尔SC存储产品家族中支持3种SSD：写密集型（WI）、高级读密集型（PRI）和主流读密集型（MRI）。其中新加入的MRI有4个容量标准——480GB、960GB、1.92TB和3.84TB。需要指出的是，用户对于3.8TB的闪存容量需求，戴尔给予了业界最大化的满足，已经将最新的MRI最先推进到用户应用端。戴尔本身更愿意倾听用户声音，产品设计源于用户需求本身，因此对于用户需求把控非常明确，MRI对于读密集型需求读用户将会带来一次新的飞跃。

当然，戴尔既然拥有多种类型SSD给予用户的选择，也是基于用户需求差异性而考虑的。首先价格最贵的WI全面领先，这部分用户需求重性能，WI可以给予充分满足，因为WI类型SSD不仅写性能卓越，读性能也同样卓越。

其次，高级读密集型（PRI）可以满足用户对于读性能读高级需求，对于价格方面稍微不那么敏感的用户更利于接受。

另外就是新推出的MRI（TLC 3D）在随机和顺序读性能上与之前的读密集型MLC一样保持了良好的水平。当然，在对比15K HDD来看，MRI SSD在随机IOPS方面的巨大优势自不必说了。

总体分析来看，戴尔将用户对于读写性能需求做了细致划分，让用户对于SSD性能与成本选择上有了更多的机会，对整个全闪存阵列市场的拉力效应必将是巨大的。新驱动器（TLC 3D）相对于当前RI（MLC）SSD，解决方案成本（$/GB）降低50%，保持了优秀的读性能，对于在读性能方面要求高并且还在乎成本的用户来说，不能不算是一个福音；同时在对比15K HDD，则有着优异的读写性能，并维持相同的解决方案成本，这明显指明了用户采用闪存替代磁盘的最佳途径之一。

名不虚传的杀手锏：

闪存优化分层

TLC 3D NAND SSD在SC阵列中的配置方法，戴尔有两种方案：

a.全闪存，替代15K HDD并加快通用阵列的速度，可选7.2K HDD混合分层。该方案能够以相同成本提供24倍硬盘配置的IOPS，具备低延时、低功耗/冷却需求和较小的空间占用。当然这种配置应该主要是针对读密集型应用，写入数据量较大的推荐下面的方案。

b.WI写密集型和MRI主流读密集型SSD分层（同时也可选7.2K HDD混合分层），TLC 3D NAND在这里进一步降低了只读访问的Tier 2闪存层价格，同时相比其它MLC SSD没有性能下降。这种高级性能“闪存优化型”阵列的特点，我们在《向Gartner全闪存魔力象限说“不”》一文中介绍过，所有来自主机的写操作都进入RIAD 10的Tier 1，然后定期以固定尺寸数据块顺序迁移到RAID 5/6的Tier 2中，兼顾了读/写性能、空间利用率和闪存寿命。

可以看出，闪存优化分层是戴尔平衡成本、性能与寿命的强大武器，并不是一味追寻所谓的“AFA（全闪存阵列）”。从数据生命周期的角度来考虑，AFA不支持磁盘是缺憾， 而戴尔坚持扎扎实实在闪存级别上做优化，在业界唯一的SLC/eMLC分层的基础上，再次全球第一个推出TLC闪存阵列。

同时，戴尔也认为TLC不是用来代替eMLC和SLC做业务密集型（如写入频繁的OLTP）存储的，而是容量型，戴尔对于用户需求定位非常准确，绝不含糊。TLC在闪存中的定位有些类似于机械硬盘中的NL-SAS，区别在于TLC的读性能是不打折扣的。当然，对于不同用户的需求，戴尔也有专业工具和专业人员来设计合适的方案。

因制程不同 - 3D TLC将拥有与

2D MLC相对等的使用寿命

利用多层堆叠封装，3D NAND能否提高闪存颗粒的密度。同时，搭配更加成熟3x-50nm半导体工艺，在相同的闪存类型（比如MLC vs. MLC，TLC vs. TLC）上比现今前沿的1x-20nm闪存会有更好的耐久度。我们知道，随着cell单元尺寸的不断缩小，NAND的P/E Cycle（编程/擦除周期）呈不断下降趋势。

戴尔存储产品管理执行董事Travis Vigil在他的博客中这样写道：“对于繁重写入的负载，戴尔也能更长期地保护Tier 2中的3D TLC SSD。戴尔对此非常自信，承诺所有SSD类型的生命周期与阵列的服务计划一样长，我们将更换任何损坏的驱动器而不考虑（闪存）磨损等级或者最大寿命。”

也就是说，只要在阵列的保修服务期内，无论SSD是否因为超出写寿命限制而损坏，戴尔都将免费更换。

正是因为我们前面介绍的闪存优化分层等优势技术带来的改善，戴尔才能够给出这种承诺！